Intel представила новые разработки в области двумерных транзисторов 2DFET, которые имеют толщину всего в несколько атомов. Эти транзисторы, основанные на дихалькогенидах переходных металлов, находились в стадии исследований более десяти лет, но теперь они могут быть интегрированы в массовое производство. На недавней конференции Intel Foundry и imec продемонстрировали успешную интеграцию технологических модулей на 300-миллиметровых пластинах.
Важным этапом стало создание низкоомных контактов, что решает одну из главных проблем при производстве 2D-транзисторов. Используя многослойные структуры и селективное травление, компании смогли сохранить целостность чувствительных 2D-каналов. Хотя коммерческое применение 2D-транзисторов ожидается не раньше второй половины 2030-х, текущая работа снижает риски и позволяет оценивать технологии в условиях, приближенных к реальным, что ускоряет процесс разработки новых чипов.