Компания Micron объявила о намерении инвестировать около $9.6 миллиардов в строительство новой производственной линии в Хиросиме, Япония, для создания памяти HBM следующего поколения. Этот шаг обусловлен увеличением спроса на высокопроизводительные модули памяти, которые необходимы для ускорителей в сфере искусственного интеллекта. В то время как конкуренты, такие как Samsung, также планируют расширение своих мощностей по производству DRAM, Micron сосредоточена на более прибыльном сегменте HBM. Ожидается, что строительство новой линии начнётся в следующем году, а массовое производство запланировано на 2028 год. Кроме того, возможно, что японское правительство выделит дополнительные средства для поддержки данного проекта. На текущий момент Micron уже выпускает передовую память LPDDR5x на существующих мощностях в Японии с использованием передовых технологий, таких как EUV-литография.