Обвинения против ChangXin Memory Technologies в утечке технологий микросхем

Южнокорейские прокуроры выдвинули обвинения против компании ChangXin Memory Technologies (CXMT), подозреваемой в незаконной утечке технологий производства микросхем памяти. Как сообщает Reuters, эти технологии сыграли ключевую роль в прогрессе Китая в области искусственного интеллекта. Central District Prosecutors’ Office в Сеуле арестовала пятерых человек, включая бывших сотрудников Samsung Electronics, за нарушение закона о защите промышленных технологий. Еще пятеро были освобождены под залог. Прокуроры утверждают, что один из исследователей Samsung, перешедший в CXMT, скопировал множество этапов запатентованных процессов производства DRAM и создал детальные записи о технологических характеристиках. Расследование также показало, что CXMT получила доступ к дополнительным технологиям DRAM от SK Hynix, что ускорило ее развитие. Ущерб для Samsung оценивается в десятки триллионов вон. CXMT, планируя IPO на Шанхайской бирже, представила новое поколение DRAM DDR5, конкурирующее с аналогичными продуктами Samsung.