Формируемая память HBM, известная своей высокой скоростью, остаётся дорогой и трудоемкой в производстве. По информации издания Business Korea, JEDEC намерен внести изменения в стандарты, касающиеся высоты стека HBM4E, чтобы упростить процесс для производителей памяти. В настоящее время максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, а для HBM4 — 775 мкм. Однако для HBM4E ожидается увеличение этого предела до 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов в одном стеке и, соответственно, увеличить его ёмкость. Современные HBM3E имеют до 12 ярусов, но уже существуют образцы 16-ярусных чипов. Кроме того, ослабление требований к производству снизит уровень брака и затраты, однако это может привести к усилению конкуренции со стороны менее опытных производителей, особенно из Китая, что беспокоит такие компании, как Samsung и SK hynix.