Прокуратура Центрального округа Сеула предъявила обвинения десяти лицам, замешанным в крупномасштабной краже технологий производства 10-нанометровой DRAM-памяти у компании Samsung Electronics. Пятеро из подозреваемых, среди которых имеются бывшие сотрудники Samsung, были арестованы. Ущерб для компании составил 5 триллионов вон (приблизительно 3,5 миллиарда долларов), а для экономики Южной Кореи — десятки триллионов вон. Расследование установило, что китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), основанная в 2016 году, привлекла бывшего начальника отдела Samsung для управления своими разработками. Он, совместно с другими экс-сотрудниками, организовал схему кражи технологий. Один из перебежчиков вручную скопировал сотни этапов 18-нанометрового производственного процесса DRAM, который Samsung разработала за 5 лет, потратив на это 1,6 трлн вон. Преступники создали подставную компанию, регулярно меняли офисы и даже разработали собственный кодовый язык для обеспечения секретности. Полученные данные были адаптированы для китайского оборудования, что позволило CXMT начать выпуск памяти в 2023 году, сократив технологическое отставание. Прокуратура охарактеризовала данный инцидент как угрозу национальной безопасности, так как полупроводниковая отрасль составляет более 20% экспорта Кореи. Власти пообещали продолжать жесткие меры против незаконной передачи технологий за пределы страны.