Команда ученых из Индийского научного института (IISc) достигла значительного прогресса в создании силовых транзисторов на базе нитрида галлия (GaN). Эти транзисторы смогут работать более эффективно и безопасно в современных электронике, снижая потери энергии и размеры модулей. Проблема внедрения связана с ограничениями напряжения затвора, отвечающего за поток тока. Обычные транзисторы начинают проводить ток при напряжениях около 1,5–2 В, а выше 5–6 В — ток сильно увеличивается. Исследования IISc помогли понять пороговое напряжение и методы управления транзисторами. Созданные новые затворы на основе металлов снижали утечку тока в 10 000 раз и повысили стабильность. Новая запатентованная технология p-GaN продемонстрировала пороговое напряжение более 4 В, что открывает двери для использования этих транзисторов в электромобилях и системах возобновляемой энергии.