Ключевым достижением нового 2-нм техпроцесса стала архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), которая обеспечивает значительное снижение утечек тока, повышение скорости на 10-15% и снижение энергопотребления на 25-30% по сравнению с 3-нм техпроцессом TSMC. Это улучшение особенно важно для серверов ИИ и мобильных устройств, где энергопотребление стало критическим фактором. Samsung применяет опыт GAA с 3-нм техпроцессов для разработки SF2P с MBCFET-транзисторами. В 2025 году компания планирует достичь 60% выхода годных изделий для процессоров Exynos 2600. Переход на жидкостное охлаждение на чипах также становится необходимым из-за высокой плотности мощности. Кроме того, 2-нм техпроцесс позволит интегрировать высокоскоростную память HBM4, что снизит задержки при обучении моделей ИИ. В то же время, Apple и AMD активно сотрудничают с TSMC и Samsung, чтобы оптимизировать производство. Цены на 2-нм пластины от Samsung ниже, что может привлечь стартапы. В 2026 году ожидаются первые коммерческие 2-нм ускорители ИИ, что может революционизировать робототехнику и автономные транспортные средства.