Корейский гигант Samsung сделал важное заявление о начале массового производства и коммерческих поставок памяти нового поколения HBM4. Эта компания стала пионером в превращении технологии в реальный продукт. Главное преимущество новинки заключается в использовании 4-нм техпроцесса для логического слоя, а для чипов DRAM — технологии шестого поколения 10-нм класса (1c), что обеспечило рекордные характеристики без значительных изменений в архитектуре.
Скорость передачи данных составляет 11,7 Гбит/с, с возможностью увеличения до 13 Гбит/с. Пропускная способность возросла до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза больше, чем у предыдущей версии HBM3E. Эти достижения особенно важны для улучшения производительности при обучении крупных языковых моделей искусственного интеллекта. Кроме того, несмотря на удвоение числа выводов (с 1024 до 2048), инженеры добились 40% повышения энергоэффективности.
Сейчас Samsung предлагает варианты объемом 24 и 36 ГБ (12 слоев) и планирует в будущем запустить 16-слойные модули на 48 ГБ. Прогнозируя стремительный рост спроса, компания ожидает, что продажи HBM в 2026 году увеличатся более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Также в планах — начать тестирование усовершенствованной версии HBM4E в середине 2026 года, а с 2027 года переходить к производству чипов согласно индивидуальным требованиям клиентов.