Институт физики микроструктур Российской академии наук разработал дорожную карту, направленную на создание отечественных установок экстремальной ультрафиолетовой литографии. Прогнозируется, что первые высокотехнологичные системы, способные производить процессоры и однокристальные системы по техпроцессу 10 нм и менее, будут доступны через 10 лет. В отличие от литографов ASML, российские решения будут использовать уникальный набор технологий, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на основе ксеноновой плазмы. Это обеспечит снижение загрязнения фотошаблонов и, как следствие, уменьшит затраты на обслуживание. Дорожная карта включает три ключевых этапа: первый этап — создание литографа для 40-нм техпроцесса (2026-2028 годы), второй — разработка сканера для 14-нм техпроцесса (2029-2032 годы), и третий — создание системы для чипов с разрешением менее 10 нм (2033-2036 годы). Каждое новое поколение литографов будет отличаться улучшенной оптической системой и высокой эффективностью сканирования при более низкой стоимости продукции.
Вопрос-ответ
Какие цели и сроки поставлены в дорожной карте Института физики микроструктур РАН для экстремальной ультрафиолетовой литографии?
Дорожная карта предусматривает три этапа: (1) создание литографа для 40 нм техпроцесса в период 2026–2028 гг.; (2) разработку сканера для 14-нм техпроцесса в 2029–2032 гг.; (3) создание системы для чипов с разрешением менее 10 нм в 2033–2036 гг. Период реализации рассчитывается на ~10 лет до первых высокотехнологичных систем.
Чем российские решения по литографии отличаются от решений ASML?
Российские подходы предполагают использование уникального набора технологий, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на основе ксеноновой плазмы. Это направлено на снижение загрязнения фотошаблонов и уменьшение затрат на обслуживание, по сравнению с традиционными литографическими системами ASML.
Какие технологические преимущества ожидаются на каждом этапе дорожной карты?
На этапе 1 будет развита литографическая технология для 40 нм, что обеспечит базовую инфраструктуру. Этап 2 сфокусирован на сканере для 14 нм, что повысит точность и скорость воспроизведения узких линий. Этап 3 направлен на создание систем с разрешением менее 10 нм, что позволит производить чипы нового поколения с более высокой плотностью транзисторов и снижением стоимости на единицу продукции за счет эффективной оптики и сканирования.